容量将提高50%!三星首先量产30nm闪存

世界半导体技术领导者三星电子（Samsung Electronics）于本月1日宣布，将于2009年11月底正式量产业界首款3bit multi-level-cell(MLC)NAND闪存，这款产品将被配合三星独家的3bit NAND控制器使用。

现在我们常用的MicroSD使用的是2bit MLC技术，即在闪存内部每个cell只能存储2bit数据，而三星最新的3bit MLC则可将其存储容量提高50%。另外三星官方宣称新技术不仅性能卓越，而且制造成本在业界也具有相当的竞争力。

2005年三星率先推出了50nm级MLC NAND闪存，开创了MLC闪存普及化的时代。而现在批量生产的30nm 3bit NAND芯片技术又将大大提高闪存容量，MicroSD将有望达到32GB甚至更高，使其可以轻松存储视频文件。